TSM210N06CZ C0G
Numero ng Produkto ng Tagagawa:

TSM210N06CZ C0G

Product Overview

Tagagawa:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Bahagi ng Numero:

TSM210N06CZ C0G-DG

Paglalarawan:

MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220

Imbentaryo:

12894250
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
pNbs
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA

TSM210N06CZ C0G Mga Teknikal na Espesipikasyon

Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Taiwan Semiconductor
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
210A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
250W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220
Package / Kaso
TO-220-3

Karagdagang Impormasyon

Iba pang mga Pangalan
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
Standard na Pakete
50

Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport

Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Mga Alternatibong Modelo

BILANG NG BAHAGI
IXFP220N06T3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
20
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFP220N06T3-DG
YUNIT PRESYO
3.54
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
taiwan-semiconductor

TSM060N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM4N70CP ROG

MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252

diodes

DMN67D7L-13

MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3

taiwan-semiconductor

TSM180N03PQ33 RGG

MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN