Numero ng Produkto ng Tagagawa:
TSM210N06CZ C0G
Product Overview
Tagagawa:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Bahagi ng Numero:
TSM210N06CZ C0G-DG
Paglalarawan:
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Detalyadong Paglalarawan:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Imbentaryo:
12894250
Humiling ng Presyo
Dami
Minimum 1
Minimum 1
jtMN
(*) ay kinakailangan
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
Babalikan ka namin sa loob ng 24 na oras
IPASA
TSM210N06CZ C0G Mga Teknikal na Espesipikasyon
Kategorya
FETs, MOSFETs, Single FETs, MOSFETs
Tagagawa
Taiwan Semiconductor
Pagbabalot
-
Serye
-
Katayuan ng Produkto
Obsolete
Uri ng FET
N-Channel
Teknolohiya
MOSFET (Metal Oxide)
Paagusan sa Source Boltahe (Vdss)
60 V
Kasalukuyang - patuloy na paagusan (id) @ 25°C
210A (Tc)
Drive boltahe (max rds sa, min rds sa)
10V
Rds Sa (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7900 pF @ 30 V
Tampok sa FET
-
Pagwawaldas ng Kapangyarihan (Max)
250W (Tc)
Temperatura ng Pagpapatakbo
-55°C ~ 150°C (TJ)
Uri ng Pag mount
Through Hole
Pakete ng Kagamitan sa Supplier
TO-220
Package / Kaso
TO-220-3
Karagdagang Impormasyon
Iba pang mga Pangalan
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
Standard na Pakete
50
Klasipikasyon ng Kapaligiran at Eksport
Katayuan ng RoHS
ROHS3 Compliant
Antas ng Sensitivity ng kahalumigmigan (MSL)
1 (Unlimited)
Katayuan ng REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Mga Alternatibong Modelo
BILANG NG BAHAGI
IXFP220N06T3
TAGAPAGGAWA
IXYS
DAMI NA BUMILI
20
DiGi BAHAGI NG NUMERO
IXFP220N06T3-DG
YUNIT PRESYO
3.54
URI ng Palitan
Similar
DIGI Sertipikasyon
Kaugnay na mga Produkto
TSM060N03PQ33 RGG
MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN
TSM4N70CP ROG
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO252
DMN67D7L-13
MOSFET N-CH 60V 210MA SOT23-3